المناهج الدراسية
الوقت المتبقي:
:
:
تسجيل الدخول

المناهج الدراسية

الفيزياء — الصف الثالث الثانوي

الوحدة الأولى: الكهربية التيارية

0/17
اختبار

اختبار بنك الأسئلة: الإلكترونيات الحديثة (50 سؤالاً مصوراً)

إرسال الاختبار
بمجرد تقديمك، لن تتمكن من تغيير إجاباتك. هل أنت متأكد أنك تريد تقديم الاختبار؟
1.
سؤال 1: سلوك بلورة السيليكون النقية عند الصفر المطلق (0 K)

يوضح الشكل التخطيطي شبكة بلورة السيليكون النقية عند درجة الصفر المطلق (0 كلفن أو -273 °C). ما هي التوصيلية الكهربية ومقاومة البلورة عند هذه الدرجة؟

التوصيلية الكهربية منعدمة تماماً والمقاومة لا نهائية لأن جميع الروابط التساهمية سليمة ومكتملة ولا توجد إلكترونات حرة أو فجوات
التوصيلية فائقة جداً والمقاومة منعدمة لعدم وجود اهتزازات حرارية
توصيلية متوسطة بسبب وجود إلكترونات التكافؤ الحرة الحركة بين الذرات
توصل التيار الكهربي فقط إذا وُضعت في مجال مغناطيسي قوي
2.
سؤال 2: كسر الروابط التساهمية وتولد الأزواج (إلكترون - فجوة)

عند رفع درجة حرارة بلورة سيليكون نقية من الصفر المطلق إلى درجة حرارة الغرفة (300 K)، تنكسر بعض الروابط التساهمية كما بالرسم. ماذا ينتج عن كسر كل رابطة تساهمية؟

تحرر إلكترون حر واحد ويترك مكانه فجوة موجبة (زوج إلكترون - فجوة)
تحرر بروتون موجب من نواة ذرة السيليكون
تكون أيون سالب وأيون موجب غير قابلين للحركة
فقد الذرة لكامل إلكترونات غلاف التكافؤ الأربعة
3.
سؤال 3: حالة الاتزان الديناميكي الحراري في شبه الموصل النقي

في بلورة شبه موصل نقي عند درجة حرارة ثابتة أعلى من الصفر المطلق، ما المقصود بحالة 'الاتزان الحراري الديناميكي'؟

تساوي معدل كسر الروابط التساهمية بفعل الحرارة مع معدل التئام الروابط بإعادة التحام الإلكترونات والفجوات
توقف كسر الروابط تماماً وبقاء الروابط الحالية سليمة
تساوي عدد ذرات السيليكون مع عدد الإلكترونات الحرة
انعدام الطاقة الحركية لذرات البلورة
4.
سؤال 4: تأثير رفع درجة الحرارة على التوصيلية الكهربية لشبه الموصل

يوضح الشكل البياني تغير المقاومة النوعية (ρ_e) مع درجة الحرارة لمادتين (X) و (Y). أي المنحنيين يمثل شبه موصل ولماذا؟

المنحنى (X) لأن مقاومته النوعية تقل بارتفاع درجة الحرارة لزيادة تركيز حاملات الشحنة الناتجة عن كسر الروابط
المنحنى (Y) لأن الموصلات وأشباه الموصلات تزداد مقاومتها دائماً بالحرارة
كلا المنحنيين يمثل فلزاً نقياً
المنحنى (X) يمثل مادة فائقة التوصيل في درجات الحرارة العادية
5.
سؤال 5: تطعيم السيليكون بشائبة خماسية التكافؤ (البلورة السالبة n-type)

عند إضافة ذرة فوسفور خماسية التكافؤ (P) أو زرنيخ (As) إلى بلورة سيليكون نقية كما بالرسم، ماذا يحدث لإلكترونات تكافؤها الخمسة؟

تشارك أربعة إلكترونات في تكوين أربع روابط تساهمية مع ذرات السيليكون المجاورة، ويتحرر الإلكترون الخامس بسهولة في البلورة
تتحرر جميع الإلكترونات الخمسة لتصبح حرة الحركة
تقتنص الذرة إلكتروناً إضافياً من ذرة سيليكون مجاورة
تتفكك نواة ذرة الفوسفور وتتحول إلى نواة سيليكون
6.
سؤال 6: نوع الأيون المتكون في البلورة السالبة (n-type)

بعد أن تتخلى ذرة الفوسفور المانحة عن إلكترونها الخامس في البلورة السالبة، ماذا تصبح الذرة؟

أيوناً موجباً (N_D+) غير قابل للحركة لأنه مرتبط بأربع روابط تساهمية قوية في هيكل الشبكة البلورية
أيوناً سالباً حراً يتحرك ويشارك في توصيل التيار
فجوة موجبة حرة الحركة تنقل التيار الكهربي
ذرة متعادلة كهربياً لا تحمل أي شحنة
7.
سؤال 7: حاملات الشحنة السائدة والأقلية في البلورة السالبة

في بلورة شبه الموصل من النوع السالب (n-type)، ما هي حاملات الشحنة السائدة (الأغلبية) وحاملات الشحنة الأقلية؟

الإلكترونات الحرة هي السائدة (الأغلبية n ≈ N_D+)، والفجوات الموجبة هي الأقلية (p)
الفجوات الموجبة هي السائدة، والإلكترونات هي الأقلية
الأيونات الموجبة هي السائدة، والإلكترونات هي الأقلية
تتساوى الإلكترونات والفجوات تماماً مثل البلورة النقية
8.
سؤال 8: التعادل الكهربي للبلورة السالبة (n-type)

هل بلورة شبه الموصل من النوع السالب (n-type) مشحونة بشحنة سالبة؟

لا، البلورة ككل متعادلة كهربياً لأن مجموع الشحنات السالبة يساوي مجموع الشحنات الموجبة: n = p + N_D+
نعم، البلورة سالبة الشحنة لأن الإلكترونات الحرة تفوق الفجوات الموجبة
نعم، وتكتسب جهداً كهربياً سالباً يمنع اقتراب الإلكترونات الخارجية
تكون موجبة الشحنة بسبب وجود الأيونات الموجبة في الشبكة
9.
سؤال 9: تطعيم السيليكون بشائبة ثلاثية التكافؤ (البلورة الموجبة p-type)

عند تطعيم بلورة سيليكون نقية بذرات عنصر البورون (B) أو الألومنيوم (Al) ثلاثي التكافؤ، ماذا يتكون في هيكل البلورة؟

تشارك الذرة بثلاثة إلكترونات في ثلاث روابط، وتقتنص إلكتروناً لإكمال الرابطة الرابعة تاركة فجوة موجبة وتتحول لأيون سالب (N_A−)
يتحرر إلكترون حر إضافي في حزمة التوصيل
تتكون أربع فجوات موجبة حول كل ذرة بورون
تتحول ذرة السيليكون المجاورة إلى ذرة مشعة
10.
سؤال 10: حاملات الشحنة والتعادل الكهربي في البلورة الموجبة (p-type)

ما العلاقة الرياضية التي تعبر عن شرط التعادل الكهربي في بلورة شبه موصل من النوع الموجب (p-type)؟

p = n + N_A− (مجموع الشحنات الموجبة = مجموع الشحنات السالبة)
p = n + N_D+
n = p + N_A−
p · n = N_A−
11.
سؤال 11: قانون فعل الكتلة (Law of Mass Action)

إذا كان تركيز الإلكترونات الحرة والفجوات في بلورة السيليكون النقية عند درجة معينة هو n_i = 1010 cm−3، وطُعِّمَت البلورة بفوسفور بتركيز N_D = 1016 cm−3، فما تركيز الفجوات الموجبة (p) في البلورة المطعمة؟

p = 104 cm−3
p = 106 cm−3
p = 1010 cm−3
p = 1016 cm−3
12.
سؤال 12: تيار الانتشار (Diffusion Current) عند تلامس البلورتين

لحظة تلامس البلورة السالبة (n) مع البلورة الموجبة (p) لتكوين الوصلة الثنائية (p-n junction)، ماذا يسبب تدفق الإلكترونات والفجوات عبر موضع الاتصال؟

اختلاف تركيز حاملات الشحنة على جانبي موضع التلامس مولداً تيار الانتشار
وجود بطارية خارجية متصلة بالطرفين
تأثير الجاذبية الأرضية على الأيونات الثقيلة
حدوث تفاعل كيميائي طارد للحرارة
13.
سؤال 13: تكون منطقة النضوب (المنطقة القاحلة - Depletion Region)

يوضح الشكل منطقة النضوب (القاحلة) المتكونة على جانبي موضع اتصال الوصلة الثنائية. لماذا سُميت هذه المنطقة بهذا الاسم؟

لخلوها التام من حاملات الشحنة الحرة (الإلكترونات والفجوات) واحتوائها فقط على أيونات موجبة وسالبة مقيدة
لأنها تنضب من الذرات تماماً وتصبح فراغاً مطلقاً
لأن درجة حرارتها تنخفض لدرجة الصفر المطلق
لأنها تحتوي على شحنات حرة فائقة الكثافة
14.
سؤال 14: الجهد الحاجز ومجال الكهرباء الداخلي (Barrier Potential)

ما اتجاه المجال الكهربي الداخلي الناشئ في منطقة النضوب بالوصلة الثنائية وما هو دوره الفيزيائي؟

يتجه من الأيونات الموجبة في المنطقة n نحو الأيونات السالبة في المنطقة p ويعاكس تيار الانتشار
يتجه من المنطقة p نحو المنطقة n ويشجع انتقال المزيد من الإلكترونات
يتجه عمودياً إلى أعلى خارج سطح البلورة
ينعدم تماماً في غياب البطارية الخارجية
15.
سؤال 15: حالة الاتزان في الوصلة الثنائية وتوقف اتساع منطقة النضوب

متى يتوقف اتساع منطقة النضوب ويثبت سمكها والجهد الحاجز في الوصلة الثنائية غير المتصلة بدائرة خارجية؟

عندما يتساوى تيار الانتشار تماماً مع تيار الانجراف الداخلي
عندما تنكسر جميع الروابط التساهمية في البلورة
عندما تفقد منطقة p جميع ذرات البورون
عندما ينخفض الجهد الحاجز إلى الصفر
16.
سؤال 16: التوصيل الأمامي للوصلة الثنائية (Forward Bias)

عند توصيل القطب الموجب للبطارية بالمنطقة (p) والقطب السالب بالمنطقة (n) كما بالرسم، ماذا يحدث لمنطقة النضوب ومقاومة الوصلة؟

يعاكس المجال الخارجي المجال الداخلي، فيضيق سمك منطقة النضوب ويقل الجهد الحاجز وتصبح المقاومة صغيرة جداً ويمر تيار كهربي كبير
يتسع سمك منطقة النضوب وتزداد المقاومة بشدة وينعدم التيار
يظل سمك منطقة النضوب ثابتاً وتتلف البلورة فوراً
تتحول الوصلة إلى عازل كهربي تام
17.
سؤال 17: التوصيل العكسي للوصلة الثنائية (Reverse Bias)

عند توصيل القطب الموجب للبطارية بالمنطقة (n) والقطب السالب بالمنطقة (p) في الوصلة الثنائية، ماذا يترتب على ذلك؟

يكون المجال الخارجي في نفس اتجاه المجال الداخلي، فيتسع سمك منطقة النضوب ويزداد الجهد الحاجز وتصبح المقاومة هائلة جداً ويكاد ينعدم التيار
يضيق سمك منطقة النضوب ويمر تيار أمامي فائق الشدة
تنعدم المقاومة تماماً ويسري تيار متردد
تختفي منطقة النضوب كلياً من البلورة
18.
سؤال 18: منحنى الخصائص (تيار - جهد) للوصلة الثنائية (I-V Curve)

يوضح الرسم البياني منحنى خصائص الوصلة الثنائية المصنوعة من السيليكون. ما هي قيمة جهد العتبة (Knee / Cut-in Voltage) التي يبدأ عندها التيار الأمامي بالارتفاع الحاد؟

حوالي 0.7 V في التوصيل الأمامي (مكافئ للجهد الحاجز للسيليكون)
صفر فولت تماماً
100 V
-0.7 V في التوصيل العكسي
19.
سؤال 19: الوصلة الثنائية كمفتاح إلكتروني (Switch)

كيف تعمل الوصلة الثنائية كمفتاح إلكتروني للتحكم في الدوائر الكهربية؟

تعمل كمفتاح مغلق (ON / توصيل) في الانحياز الأمامي، ومفتاح مفتوح (OFF / قطع) في الانحياز العكسي
تعمل كمفتاح مغلق دائماً بغض النظر عن قطبية المصدر
تعمل كمقاومة أومية ثابتة تتبع قانون أوم تماماً في جميع الأحوال
تعمل كمفتاح مغلق فقط عند الترددات الراديوية العالية
20.
سؤال 20: التقويم نصف الموجي للتيار المتردد (Half-Wave Rectification)

عند توصيل دايود واحد على التوالي مع مصدر تيار متردد ومقاومة حمل كما بالشكل، ما شكل تيار الخرج الناتج؟

تيار مقوم تقويماً نصف موجي ينبض في اتجاه واحد فقط خلال أنصاف الدورات الموجبة وينعدم في السالبة
تيار مستمر نقي ثابت الشدة والاتجاه خطياً
تيار متردد له نفس السعة والتردد الأصليين دون أي تغيير
ينعدم التيار تماماً في كلا النصفين
21.
سؤال 21: تردد تيار الخرج في التقويم نصف الموجي

إذا كان تردد التيار المتردد الداخل للوصلة الثنائية هو f = 50 Hz، فما تردد التيار المقوم نصف موجياً الناتج عبر مقاومة الحمل؟

50 Hz (نفس تردد المصدر لأن النبضات تتكرر بنفس الزمن الدوري T)
100 Hz
25 Hz
صفر Hz
22.
سؤال 22: التقويم الموجي الكامل بقنطرة الدايودات (Full-Wave Bridge Rectifier)

يوضح الشكل دائرة قنطرة تتكون من أربعة دايودات (Bridge Rectifier). ما هي ميزة هذه الدائرة مقارنة بتقويم الدايود الواحد؟

تقويم تيار متردد تقويماً موجياً كاملاً بحيث يسري التيار في مقاومة الحمل في نفس الاتجاه خلال نصفي الدورة الموجب والسالب
توليد طاقة كهربية إضافية تفوق طاقة المصدر
تحويل التيار المستمر إلى تيار متردد عالي التردد
منع مرور التيار نهائياً في مقاومة الحمل
23.
سؤال 23: تردد التيار المقوم تقويماً موجياً كاملاً

إذا كان تردد مصدر التيار المتردد هو f = 50 Hz، فما تردد نبضات التيار المقوم تقويماً موجياً كاملاً عبر مقاومة الحمل؟

100 Hz (يتضاعف التردد لأن الدورة الواحدة أصبحت تحتوي على قمتين خلال نفس الزمن)
50 Hz
25 Hz
200 Hz
24.
سؤال 24: دور المكثف في تنعيم التيار المقوم (Filter Capacitor)

يُوصل مكثف سعوي كبير على التوازي مع مقاومة الحمل بعد دائرة التقويم كما بالرسم. ما الدور الذي يقوم به هذا المكثف؟

تنعيم تموجات التيار (Filtering) لجعله تياراً مستمراً شبه ثابت الشدة عن طريق شحن المكثف عند القمم وتفريغه عند الهبوط
زيادة تردد التيار إلى مدى الموجات اللاسلكية
عكس اتجاه التيار المار في الحمل
حرق الدايودات لمنع ارتفاع درجة الحرارة
25.
سؤال 25: جهد الانهيار العكسي للوصلة الثنائية (Breakdown Voltage)

إذا زاد الجهد العكسي المطبق على الوصلة الثنائية العادية عن قيمة حرجة تُعرف بجهد الانهيار (V_Z أو Breakdown Voltage)، ماذا يحدث؟

يزداد التيار العكسي فجأة وبشدة هائلة مما قد يؤدي لتلف واحتراق الوصلة بالحرارة إن لم يتم تحديد التيار بمقاومة
تتحول الوصلة إلى مكثف هوائي معزول تماماً
ينعكس اتجاه التيار ليصبح تياراً أمامياً منتظماً
تنخفض درجة حرارة الوصلة لدرجة التجمد
26.
سؤال 26: تركيب الترانزستور ثنائي القطبية (BJT)

يتكون الترانزستور ثنائي القطبية (Bipolar Junction Transistor) من ثلاث بلورات متتالية. ما هما النوعان الرئيسيان للترانزستور كما بالرسم؟

ترانزستور من النوع (npn) وترانزستور من النوع (pnp)
ترانزستور مغناطيسي وترانزستور كهروضوئي
ترانزستور نقي وترانزستور عازل
ترانزستور موجب وترانزستور متعادل
27.
سؤال 27: خصائص مناطق الترانزستور الثلاث (الباعث، القاعدة، المجمع)

يوضح الشكل قطاعاً في ترانزستور (npn). أي العبارات التالية تصف تركيز الشوائب والمساحة الهندسية للباعث والقاعدة والمجمع وصفاً علمياً دقيقاً؟

الباعث عالي الشوائب، القاعدة رقيقة جداً وقليلة الشوائب، والمجمع كبير المساحة ومعتدل الشوائب لتبديد الحرارة وجمع الشحنات
القاعدة هي الأكبر حجماً والأعلى شوائب بين المناطق الثلاث
المناطق الثلاث متماثلة تماماً في الحجم وتركيز الشوائب
المجمع خالٍ تماماً من الشوائب ويسلك كعازل
28.
سؤال 28: قانون التيارات في الترانزستور (I_E = I_B + I_C)

إذا كان تيار الباعث في ترانزستور هو I_E = 100 mA وتيار القاعدة I_B = 2 mA، فما قيمة تيار المجمع I_C ونسبته المئوية تقريباً من تيار الباعث؟

I_C = 98 mA وتمثل 98% من تيار الباعث
I_C = 102 mA وتمثل 102%
I_C = 50 mA وتمثل 50%
I_C = 2 mA وتمثل 2%
29.
سؤال 29: نسبة التوزيع أو كسب التيار لقاعدة مشتركة (α_e)

تُعرف نسبة التوزيع (ألفا α_e) للترانزستور بالنسبة بين تيار المجمع إلى تيار الباعث (α_e = I_C / I_E). لماذا تكون دائماً أقل قليلاً من الواحد الصحيح؟

لأن جزءاً ضئيلاً من إلكترونات الباعث يلتحم مع فجوات القاعدة مسبباً تيار القاعدة I_B (حيث I_E = I_B + I_C)
لأن تيار المجمع أكبر دائماً من تيار الباعث
بسبب فقدان الطاقة في المقاومة الأومية للمجمع
لأن الترانزستور مصنوع من السيليكون النقي فقط
30.
سؤال 30: معامل تكبير التيار لباعث مشترك (β_e)

إذا كان معامل التوزيع لترانزستور هو α_e = 0.98، فما هي قيمة معامل تكبير التيار (بيتا β_e) في دائرة الباعث المشترك؟

β_e = 49
β_e = 0.98
β_e = 98
β_e = 2
31.
سؤال 31: حساب تيار المجمع من معامل التكبير وتيار القاعدة

في دائرة ترانزستور باعث مشترك، إذا كان تيار القاعدة I_B = 50 μA ومعامل التكبير β_e = 100، فما قيمة تيار المجمع I_C وتيار الباعث I_E؟

I_C = 5 mA و I_E = 5.05 mA
I_C = 50 mA و I_E = 50 mA
I_C = 0.5 mA و I_E = 1 mA
I_C = 2 μA و I_E = 52 μA
32.
سؤال 32: الترانزستور كمكبر للإشارات في دائرة الباعث المشترك وعكس الطور

يوضح الشكل دائرة مكبر ترانزستور باعث مشترك (Common Emitter Amplifier). ما العلاقة في الطور بين إشارة الجهد المتردد الداخلة إلى القاعدة وإشارة الجهد الخارجة من المجمع؟

مقلوبة الطور بزاوية 180° (عكس الطور: قمة الدخل يقابلها قاع في الخرج)
متفقة تماماً في الطور (فرق الطور = صفر)
متقدمة في الطور بزاوية 90°
تتلاشى الإشارة تماماً ولا تخرج أي موجة
33.
سؤال 33: معادلة جهد دائرة المجمع في الباعث المشترك

ما هي المعادلة الرياضية الصحيحة التي تربط بين جهد بطارية المجمع V_CC ومقاومة المجمع R_C وفرق الجهد بين المجمع والباعث V_CE؟

V_CC = I_C · R_C + V_CE
V_CC = I_B · R_C - V_CE
V_CE = V_CC + I_C · R_C
I_C = V_CC · R_C + V_CE
34.
سؤال 34: الترانزستور كمفتاح مغلق (ON Switch / Saturation)

عند تطبيق جهد دخل موجب مرتفع (V_in = High / 1) على قاعدة ترانزستور (npn) كما بالرسم، كيف يسلك الترانزستور كمفتاح كهربي وما قيمة جهد الخرج V_CE؟

يسلك كمفتاح مغلق (ON) في حالة تشبع، حيث يمر تيار مجمع أقصى ويكون جهد الخرج V_CE صغيراً جداً يقترب من الصفر (Low / 0)
يسلك كمفتاح مفتوح (OFF) وينعدم تيار المجمع ويكون الخرج V_CE = V_CC
يحترق الترانزستور وتفتح الدائرة نهائياً
يولد الترانزستور جهداً متردداً عالي التردد
35.
سؤال 35: الترانزستور كمفتاح مفتوح (OFF Switch / Cutoff)

إذا جُعل جهد الدخل على قاعدة الترانزستور مساوياً للصفر (V_in = 0 / Low)، كيف يتصرف الترانزستور وما قيمة جهد الخرج المأخوذ بين المجمع والباعث؟

يسلك كمفتاح مفتوح (OFF) في حالة قطع، حيث ينعدم تيار المجمع (I_C ≈ 0) ويصبح جهد الخرج مساوياً لجهد المصدر كاملاً V_CE = V_CC (High / 1)
يسلك كمفتاح مغلق (ON) ويمر أقصى تيار وتكون V_CE = 0
تنعكس قطبية البطارية V_CC تلقائياً
تزداد سخونة الترانزستور لدرجة التوهج
36.
سؤال 36: الترانزستور كبوابة عاكس منطقية (NOT Gate Inverter)

لماذا يُستخدم الترانزستور في دائرة الباعث المشترك كبوابة عاكس منطقية (Inverter / NOT Gate) في الحواسيب؟

لأنه عندما يكون الدخل مرتفعاً (1) يكون الخرج منخفضاً (0)، وعندما يكون الدخل منخفضاً (0) يكون الخرج مرتفعاً (1)
لأنه يعكس نوع بلورات الترانزستور من السيليكون إلى الجرمانيوم
لأنه يحول التيار المستمر إلى تيار متردد ثلاثي الأطوار
لأنه يعكس شحنة الإلكترون السالبة لتصبح موجبة
37.
سؤال 37: حساب تكبير القدرة في مكبر الترانزستور

إذا كان معامل تكبير التيار في مكبر باعث مشترك هو A_i = 80 ومعامل تكبير الجهد هو A_v = 150، فما قيمة معامل تكبير القدرة (Power Gain) للمكبر؟

12,000
230
1.875
6,400
38.
سؤال 38: المقارنة بين الإشارات التناظرية والإشارات الرقمية

يوضح الشكل موجتين لإشارتين كهربيتين (A) و (B). أي منهما تمثل إشارة تناظرية (Analog) وأيهما تمثل إشارة رقمية (Digital)؟

(A) إشارة تناظرية تتغير قيمتها باستمرار مع الزمن، و (B) إشارة رقمية متقطعة تأخذ قيمتين محددتين فقط (0 و 1)
(A) إشارة رقمية و (B) إشارة تناظرية
كلا الإشارتين تناظرية ولا يوجد فرق بينهما
(B) تمثل تياراً ثلاثي الأطوار مشوشاً
39.
سؤال 39: تأثير الضوضاء والتشويش الكهربي (Noise) على الإشارات

لماذا تفوقت الإلكترونيات الرقمية على الإلكترونيات التناظرية في الاتصالات ونقل البيانات وتخزينها؟

لأن الإشارات الرقمية تقاوم الضوضاء الكهربائية تماماً ويسهل تنقيتها وإعادة إنتاجها دون أي تشويه للأصل، بينما تشوه الضوضاء الإشارات التناظرية ويصعب فصلها
لأن الإشارات التناظرية تتطلب أسلاكاً من الذهب الخالص
لأن سرعة الإشارات الرقمية تفوق سرعة الضوء
لأن الإلكترونيات الرقمية لا تحتاج لأي مصدر طاقة كهربية
40.
سؤال 40: المحولات الرقمية التناظرية والتناظرية الرقمية (ADC & DAC)

في الهاتف المحمول، ما وظيفة كل من المحول (ADC) عند الميكروفون والمحول (DAC) عند السماعة؟

الـ ADC يحول الصوت التناظري إلى إشارات رقمية (0 و 1) للمعالجة والنقل، والـ DAC يعيد تحويل الأرقام إلى صوت تناظري تسمعه الأذن
كلا المحولين يرفع الجهد الكهربي للبطارية فقط
الـ ADC يبرد الهاتف والـ DAC يسخنه
الـ DAC يشفر البيانات برقم سري والـ ADC يمسحها
41.
سؤال 41: مستويات الجهد المنطقي الثنائي (Logic 0 & Logic 1)

في دوائر البوابات المنطقية الرقمية، ماذا يمثل كل من المستوى المنطقي '1' (HIGH) والمستوى المنطقي '0' (LOW) بدلالة فرق الجهد؟

المستوى (1) يمثل وجود جهد كهربي (حوالي +5 V)، والمستوى (0) يمثل انعدام الجهد (صفر فولت أو الأرضي)
المستوى (1) يمثل جهداً لا نهائياً، والمستوى (0) يمثل مقاومة سالبة
كلا المستويين يمثلان جهداً متردداً متعاكساً
المستوى (1) يمثل درجة حرارة 100 °C والمستوى (0) يمثل 0 °C
42.
سؤال 42: بوابة العاكس (NOT Gate) والدائرة الكهربية المكافئة

يوضح الشكل رمز بوابة العاكس (NOT Gate) ودائرتها الكهربية المكافئة. ما هي الدائرة المكافئة لبوابة العاكس وما جدول حقيقتها؟

مفتاح كهربي متصل على التوازي مع مصباح كهربي؛ إذا كان المفتاح مفتوحاً (A=0) يضيء المباح (Y=1)، وإذا أُغلق المفتاح (A=1) ينطفئ المصباح (Y=0)
مفتاح متصل على التوالي مع المصباح؛ يضيء عند إغلاقه وينطفئ عند فتحه
مفتاحان متصلان على التوازي مع بطارية
مصباحان متصلان على التوالي دون أي مفتاح
43.
سؤال 43: بوابة التوافق (AND Gate) والدائرة الكهربية المكافئة

ما هي الدائرة الكهربية المكافئة لبوابة التوافق (AND Gate) وما هو شرط الحصول على خرج منطقي (Y = 1)؟

مفتاحان متصلان على التوالي مع المصباح والبطارية، ويضيء المصباح (Y = 1) فقط إذا أُغلق المفتاحان معاً في نفس الوقت (A = 1 و B = 1)
مفتاحان متصلان على التوازي، ويضيء المصباح إذا أُغلق أي من المفتاحين
مفتاح واحد يعكس اتجاه التيار في الدائرة
ثلاثة مفاتيح لا يمكن إغلاقها معاً
44.
سؤال 44: بوابة الاختيار (OR Gate) والدائرة الكهربية المكافئة

ما هي الدائرة الكهربية المكافئة لبوابة الاختيار (OR Gate) ومتى يكون خرجها مساوياً للصفر (Y = 0)؟

مفتاحان متصلان على التوازي مع بعضهما على التوالي مع المصباح، ويكون الخرج (Y = 0) فقط عند فتح كلا المفتاحين معاً (A = 0 و B = 0)
مفتاحان متصلان على التوالي ويكون الخرج صفراً عند إغلاق أحدهما
مفتاح متصل على التوازي مع المصباح ويكون الخرج صفراً عند فتحه
دائرة خالية من المفاتيح تظل مضاءة دائماً
45.
سؤال 45: تحليل دائرة منطقية مركبة (AND + NOT)

في الدائرة المنطقية الموضحة بالرسم، تتصل بوابة (AND) ببوابة (NOT). إذا كانت المدخلات هي A = 1 و B = 1، فما هي قيمة الخرج النهائي Y؟

Y = 0 (لأن خرج AND يساوي 1 وتعكسه NOT ليصبح 0)
Y = 1
Y = 2
قيمة غير محددة تتغير باستمرار
46.
سؤال 46: تحليل دائرة منطقية مركبة (OR + NOT)

إذا اتصلت مخرجات بوابة (OR) بمدخل بوابة (NOT)، فما هي الحالة الوحيدة للمدخلين (A و B) التي تعطي خرجاً نهائياً Y = 1؟

A = 0 و B = 0
A = 1 و B = 1
A = 1 و B = 0
A = 0 و B = 1
47.
سؤال 47: بوابة توافق ذات ثلاثة مدخلات (3-Input AND Gate)

بوابة (AND) ذات ثلاثة مدخلات (A, B, C). كم عدد الاحتمالات الكلية لجدول الحقيقة وما هو الاحتمال الوحيد الذي يعطي خرجاً مساوياً 1؟

عدد الاحتمالات 8 (23 = 8)، ويكون الخرج 1 فقط عندما تكون جميع المدخلات A = 1 و B = 1 و C = 1
عدد الاحتمالات 6 ويكون الخرج 1 إذا كان أي مدخل 1
عدد الاحتمالات 4 ويكون الخرج 1 دائماً
عدد الاحتمالات 16 والخرج صفر دائماً
48.
سؤال 48: استنتاج نوع البوابة المنطقية المجهولة من جدول الحقيقة

يوضح الجدول قيم الخرج لبوابة منطقية ذات مدخلين: (0,0 -> 0) و (0,1 -> 1) و (1,0 -> 1) و (1,1 -> 1). ما نوع هذه البوابة؟

بوابة اختيار (OR Gate)
بوابة توافق (AND Gate)
بوابة عاكس (NOT Gate)
مكبر ترانزستور باعث مشترك
49.
سؤال 49: تطبيق البوابات المنطقية في نظام إنذار الحريق الآلي

صُممت دائرة إنذار حريق تحتوي على مستشعر حرارة (H) ومستشعر دخان (S) وبوابة منطقية متصلة بسارينة الإنذار. ما البوابة المطلوبة لكي تدق السارينة إذا ارتفعت الحرارة أو تصاعد الدخان أو كلاهما معاً؟

بوابة اختيار (OR Gate)
بوابة توافق (AND Gate)
بوابة عاكس (NOT Gate)
دايود موصل توصيلاً عكسياً
50.
سؤال 50: الدوائر المتكاملة (Integrated Circuits - ICs) والمعالجات الدقيقة

كيف تُمثل شريحة السيليكون الدقيقة (Microchip) في الحواسيب الحديثة قمة تطور علم الإلكترونيات الحديثة؟

باحتوائها على مليارات الترانزستورات والدايودات والبوابات المنطقية الدقيقة المصغرة على رقاقة سيليكون لا تتجاوز مساحتها بضعة مليمترات مربعة
باعتمادها على صمامات كهربية مفرغة ضخمة تستهلك طاقة هائلة
بكونها مصنوعة من خشب معزول لا يمرر الكهرباء
بأنها تعمل فقط في درجات حرارة تفوق درجة حرارة الشمس
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5
  • 6
  • 7
  • 8
  • 9
  • 10
  • 11
  • 12
  • 13
  • 14
  • 15
  • 16
  • 17
  • 18
  • 19
  • 20
  • 21
  • 22
  • 23
  • 24
  • 25
  • 26
  • 27
  • 28
  • 29
  • 30
  • 31
  • 32
  • 33
  • 34
  • 35
  • 36
  • 37
  • 38
  • 39
  • 40
  • 41
  • 42
  • 43
  • 44
  • 45
  • 46
  • 47
  • 48
  • 49
  • 50