المناهج الدراسية
تسجيل الدخول

المناهج الدراسية

الفيزياء

الفصل الأول - التيار الكهربي وقانون أوم وقانونا كيرشوف

0/36

الفصل الثاني - التأثير المغناطيسي للتيار الكهربي وأجهزة القياس

0/32

الفصل الثالث - الحث الكهرومغناطيسي

0/45

الفصل الرابع - دوائر التيار المتردد

0/23

الفصل الخامس - ازدواجية الموجة والجسيم

0/31

الفصل السادس - الأطياف الذرية والأشعة السينية

0/17

الفصل السابع - الليزر وتطبيقاته

0/17

الفصل الثامن - الإلكترونيات الحديثة

0/25

دروس إضافية

0/145
اختبار

اختبار الدرس الرابع: المحول الكهربي والمحرك الكهربي (الموتور)

إرسال الاختبار
بمجرد تقديمك، لن تتمكن من تغيير إجاباتك. هل أنت متأكد أنك تريد تقديم الاختبار؟
1.
في المحول الكهربي المثالي الرافع للجهد (Step-Up Transformer)، تكون النسبة بين عدد لفات الملف الثانوي إلى الابتدائي (Ns / Np):
أكبر من الواحد الصحيح، وتكون شدة التيار الثانوي أقل من شدة التيار الابتدائي (Is < Ip)
مساوية للواحد تماماً في جميع الأحوال
أقل من الواحد الصحيح وتزداد شدة التيار
سالباً في جميع الدوائر المتناوبة
2.
ظاهرة كومتون (Compton Effect) أثبتت بما لا يدع مجالاً للشك أن فوتون أشعة إكس أو جاما يمتلك:
خواص موجية بحتة دون أي كتلة أو تصادم
سرعة حركة تفوق سرعة الضوء في الفراغ
شحنة كهربية سالبة مساوية لشحنة الإلكترون
خواص جسيمية (كتلة، وكمية حركة خطية p_L = h / lambda، ويخضع لقوانين بقاء الطاقة وكمية الحركة)
3.
حاجز جهد السطح (Surface Potential Barrier) في الفلزات هو:
مجال مغناطيسي يحيط بالبلورة
الشحنة الكلية للذرات المتعادلة
طبقة الصدأ المتكونة على السطح الخارجي
قوى التجاذب الكهربية التي تجذب الإلكترونات الحرة نحو الداخل وتمنعها من مغادرة سطح المعدن في درجات الحرارة العادية
4.
مجموعة طيف ذرة الهيدروجين التي تقع خطوطها في نطاق الضوء المرئي هي مجموعة:
بالمر
فوند
باشن
ليمان
5.
يتوقف أقصر طول موجي للأشعة السينية المستمرة (طيف الفرملة) الصادرة من أنبوبة كولدج على:
مساحة سطح الهدف
العدد الذري لمادة الهدف
درجة حرارة الفتيلة
فرق الجهد بين الأنود والكاثود فقط
6.
تتميز فوتونات شعاع الليزر بأنها مترابطة زمانياً ومكانياً مما يجعلها:
تحتوي على مدى واسع من الأطوال الموجية
حزمة متوازية ذات شدة عالية لا تنفرج لمسافات شاسعة
تخضع لقانون التربيع العكسي
تنكسر في جميع الاتجاهات
7.
بلورة السيليكون المطعمة بذرات عنصر الفوسفور خماسي التكافؤ (n-type) تكون شحنتها الكلية:
متعادلة كهربياً تماماً
موجبة الشحنة
سالبة الشحنة
تتغير بالحرارة
8.
في دائرة تيار متردد في حالة رنين، تكون زاوية الطور (θ) بين الجهد الكلي والتيار مساوية:
90°
45°
صفر
180°
9.
المعاوقة الكلية لدائرة R-L-C في حالة الرنين تكون:
صفراً تماماً
تساوي XL فقط
أقل ما يمكن وتساوي المقاومة الأومية R فقط
أكبر ما يمكن وتساوي XL + XC
10.
ترانزستور يعمل كمكبر في دائرة الباعث المشترك (Common-Emitter)، فإذا كانت نسبة التكبير الحالية في الترانزستور β_e = 50، ومقاومة دائرة المجمع Rc = 5 kΩ، ومقاومة دائرة القاعدة الرأسية R_in = 500 Ω. احسب معامل التوزيع (α_e)، ومعامل تكبير الجهد (Av)، ومعا
α_e = 50، ولا يوجد تكبير للقدرة في الترانزستور
α_e = 0.9804، وتكبير الجهد Av = 500.0، وتكبير القدرة Ap = 25000.0
α_e = 1.0000 دائماً، وتكبير الجهد Av = 50، وتكبير القدرة Ap = 50
α_e = 0.4902، وتكبير الجهد Av = 125.0، وتكبير القدرة Ap = 3125.0
11.
ترانزستور يعمل كمكبر في دائرة الباعث المشترك (Common-Emitter)، فإذا كانت نسبة التكبير الحالية في الترانزستور β_e = 100، ومقاومة دائرة المجمع Rc = 5 kΩ، ومقاومة دائرة القاعدة الرأسية R_in = 500 Ω. احسب معامل التوزيع (α_e)، ومعامل تكبير الجهد (Av)، ومع
α_e = 1.0000 دائماً، وتكبير الجهد Av = 100، وتكبير القدرة Ap = 100
α_e = 100، ولا يوجد تكبير للقدرة في الترانزستور
α_e = 0.495، وتكبير الجهد Av = 250.0، وتكبير القدرة Ap = 12500.0
α_e = 0.9901، وتكبير الجهد Av = 1000.0، وتكبير القدرة Ap = 100000.0
12.
ترانزستور يعمل كمكبر في دائرة الباعث المشترك (Common-Emitter)، فإذا كانت نسبة التكبير الحالية في الترانزستور β_e = 150، ومقاومة دائرة المجمع Rc = 5 kΩ، ومقاومة دائرة القاعدة الرأسية R_in = 500 Ω. احسب معامل التوزيع (α_e)، ومعامل تكبير الجهد (Av)، ومع
α_e = 0.9934، وتكبير الجهد Av = 1500.0، وتكبير القدرة Ap = 225000.0
α_e = 1.0000 دائماً، وتكبير الجهد Av = 150، وتكبير القدرة Ap = 150
α_e = 0.4967، وتكبير الجهد Av = 375.0، وتكبير القدرة Ap = 28125.0
α_e = 150، ولا يوجد تكبير للقدرة في الترانزستور
13.
ترانزستور يعمل كمكبر في دائرة الباعث المشترك (Common-Emitter)، فإذا كانت نسبة التكبير الحالية في الترانزستور β_e = 200، ومقاومة دائرة المجمع Rc = 5 kΩ، ومقاومة دائرة القاعدة الرأسية R_in = 500 Ω. احسب معامل التوزيع (α_e)، ومعامل تكبير الجهد (Av)، ومع
α_e = 0.995، وتكبير الجهد Av = 2000.0، وتكبير القدرة Ap = 400000.0
α_e = 200، ولا يوجد تكبير للقدرة في الترانزستور
α_e = 0.4975، وتكبير الجهد Av = 500.0، وتكبير القدرة Ap = 50000.0
α_e = 1.0000 دائماً، وتكبير الجهد Av = 200، وتكبير القدرة Ap = 200
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5
  • 6
  • 7
  • 8
  • 9
  • 10
  • 11
  • 12
  • 13